IRF630S

Vishay Siliconix 分立器件

MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

N-Channel 200 V 9A Tc 3W Ta, 74W Tc Surface Mount D²PAK TO-263

得捷:
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK

IRF630S中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 3W Ta, 74W Tc

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 800pF @25VVds

耗散功率Max 3W Ta, 74W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

IRF630S引脚图与封装图

暂无图片

在线购买IRF630S

型号	制造商	描述	购买
IRF630S	Vishay Siliconix	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	搜索库存

替代型号IRF630S

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IRF630S 品牌： Vishay Siliconix 封装：	当前型号	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	当前型号
型号： IRF630SPBF 品牌： Vishay Siliconix 封装： TO-263-3	完全替代	MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK	IRF630S和IRF630SPBF的区别
型号： IRF630NSPBF 品牌：英飞凌封装： REEL N-Channel 200V 9.3A	功能相似	INFINEON IRF630NSPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V	IRF630S和IRF630NSPBF的区别
型号： IRF630NSTRRPBF 品牌：英飞凌封装： D2PAK N-CH 200V 9.3A	功能相似	D2PAK N-CH 200V 9.3A	IRF630S和IRF630NSTRRPBF的区别