IRF630NSTRRPBF、IRF630S、IRF630NSTRLPBF对比区别

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型号 IRF630NSTRRPBF IRF630S IRF630NSTRLPBF

描述 D2PAK N-CH 200V 9.3AMOSFET N-CH 200V 9A D2PAKHEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 - - 82 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.3 Ω

极性 N-CH - N-Channel

耗散功率 82 W 3W (Ta), 74W (Tc) 82 W

阈值电压 - - 4 V

输入电容 - - 575 pF

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 9.3A - 9.3A

上升时间 14 ns - 14 ns

输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - - 82 W

下降时间 15 ns - 15 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 82W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) 82W (Tc)

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 11.3 mm

高度 - - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead Lead Free