IRF630S、IRF630SPBF、IRF630NSPBF对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRF630S IRF630SPBF IRF630NSPBF

描述 MOSFET N-CH 200V 9A D2PAKMOSFET N-CH 200V 9A D2PAKINFINEON  IRF630NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

引脚数 - - 3

耗散功率 3W (Ta), 74W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) 82 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

输入电容(Ciss) 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 575pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3W (Ta), 74W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) 82W (Tc)

额定功率 - - 82 W

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.3 Ω

极性 - - N-Channel

阈值电压 - - 4 V

连续漏极电流(Ids) - - 9.3A

上升时间 - - 14 ns

下降时间 - - 15 ns

工作温度(Max) - - 175 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 - - 10.67 mm

宽度 - - 9.65 mm

高度 - - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Obsolete Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 - - Rail, Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17