IRF630NSPBF、IRF630S、IRF630SPBF对比区别

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型号 IRF630NSPBF IRF630S IRF630SPBF

描述 INFINEON  IRF630NSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.3 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 VMOSFET N-CH 200V 9A D2PAKVISHAY  IRF630SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 9 A, 200 V, 300 mohm, 10 V, 4 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.3 Ω - 300 mΩ

极性 N-Channel - N-Channel

耗散功率 82 W 3W (Ta), 74W (Tc) 74 W

阈值电压 4 V - 4 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 9.3A - 9.00 A

输入电容(Ciss) 575pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 82W (Tc) 3W (Ta), 74W (Tc) 3000 mW

额定功率 82 W - -

上升时间 14 ns - -

下降时间 15 ns - -

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 9.65 mm - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

包装方式 Rail, Tube - Tube

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Obsolete -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

材质 Silicon - -