耗散功率 125W Tc
漏源极电压Vds 1000 V
输入电容Ciss 980pF @25VVds
额定功率Max 125 W
耗散功率Max 125W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.82 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFPG30 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-247-3 | 当前型号 | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC | 当前型号 | |
型号: IRFPG30PBF 品牌: Vishay Siliconix 封装: TO-247-3 | 完全替代 | MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC | IRFPG30和IRFPG30PBF的区别 | |
型号: 2SK1359 品牌: 东芝 封装: 1kV 5A | 功能相似 | MOSFET N-CH 1kV 5A TO-3PN | IRFPG30和2SK1359的区别 | |
型号: IRFPG42 品牌: Harris 封装: | 功能相似 | N沟道 1kV 3.9A | IRFPG30和IRFPG42的区别 |