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IRFPG30、IRFPG42、IRFPG30PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFPG30 IRFPG42 IRFPG30PBF

描述 MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247ACN沟道 1kV 3.9AMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC

数据手册 ---

制造商 Vishay Siliconix Harris Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole - Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3

耗散功率 125W (Tc) - 125W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1000 V - 1000 V

输入电容(Ciss) 980pF @25V(Vds) - 980pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 125 W - -

耗散功率(Max) 125W (Tc) - 125W (Tc)

漏源极电阻 - - 5 Ω

阈值电压 - - 4 V

长度 15.87 mm - 15.87 mm

宽度 5.31 mm - 5.31 mm

高度 20.82 mm - 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Obsolete Active

包装方式 Tube - -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free