2SK1359、IRFPG30对比区别

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型号 2SK1359 IRFPG30

描述 MOSFET N-CH 1kV 5A TO-3PNMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC

数据手册 --

制造商 Toshiba (东芝) Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-3-3 TO-247-3

耗散功率 - 125W (Tc)

漏源极电压(Vds) 1.00 kV 1000 V

输入电容(Ciss) - 980pF @25V(Vds)

额定功率(Max) - 125 W

耗散功率(Max) - 125W (Tc)

额定电压(DC) 1.00 kV -

额定电流 5.00 A -

连续漏极电流(Ids) 5.00 A -

上升时间 18.0 ns -

长度 - 15.87 mm

宽度 - 5.31 mm

高度 - 20.82 mm

封装 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Obsolete

包装方式 Bulk Tube

RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead Contains Lead