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IRFPG30、IRFPG30PBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFPG30 IRFPG30PBF

描述 MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247ACMOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-247AC

数据手册 --

制造商 Vishay Siliconix Vishay Siliconix

分类 MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole

封装 TO-247-3 TO-247-3

漏源极电阻 - 5 Ω

耗散功率 125W (Tc) 125W (Tc)

阈值电压 - 4 V

漏源极电压(Vds) 1000 V 1000 V

输入电容(Ciss) 980pF @25V(Vds) 980pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 125W (Tc) 125W (Tc)

额定功率(Max) 125 W -

长度 15.87 mm 15.87 mm

宽度 5.31 mm 5.31 mm

高度 20.82 mm 20.82 mm

封装 TO-247-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tube -

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free