极性 N-CH
耗散功率 480W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 110A
上升时间 25 ns
输入电容Ciss 3550pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 480W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
---|---|---|---|
IXTT110N10P | IXYS Semiconductor | TO-268 N-CH 100V 110A | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
---|---|---|---|---|
型号: IXTT110N10P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-268 N-CH 100V 110A | 当前型号 | TO-268 N-CH 100V 110A | 当前型号 | |
型号: IXTQ110N10P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-3P-3 N-CH 100V 110A | 类似代替 | N沟道 100V 110A | IXTT110N10P和IXTQ110N10P的区别 | |
型号: IXFV110N10P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: PLUS | 类似代替 | Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin3+Tab PLUS 220 | IXTT110N10P和IXFV110N10P的区别 | |
型号: IXFH110N10P 品牌: IXYS Semiconductor 封装: TO-247-3 N-Channel 110A | 功能相似 | IXYS SEMICONDUCTOR IXFH110N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 V | IXTT110N10P和IXFH110N10P的区别 |