IXTQ110N10P、IXTT110N10P、IXFV110N10P对比区别

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型号 IXTQ110N10P IXTT110N10P IXFV110N10P

描述 N沟道 100V 110ATO-268 N-CH 100V 110ATrans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-220-3

引脚数 - 3 -

耗散功率 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 3550pF @25V(Vds) 3550pF @25V(Vds) 3550pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

极性 N-CH N-CH -

连续漏极电流(Ids) 110A 110A -

上升时间 - 25 ns -

下降时间 - 25 ns -

工作温度(Max) - 175 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

额定功率(Max) 480 W - -

封装 TO-3-3 TO-268-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free