IXFH110N10P、IXTT110N10P、IXFV110N10P对比区别
型号 IXFH110N10P IXTT110N10P IXFV110N10P
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH110N10P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 VTO-268 N-CH 100V 110ATrans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin(3+Tab) PLUS 220
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
耗散功率 480 W 480W (Tc) 480W (Tc)
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
输入电容(Ciss) 3550pF @25V(Vds) 3550pF @25V(Vds) 3550pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
漏源极电阻 0.015 Ω - -
极性 N-Channel N-CH -
阈值电压 5 V - -
漏源击穿电压 100 V - -
连续漏极电流(Ids) 110 A 110A -
上升时间 25 ns 25 ns -
额定功率(Max) 480 W - -
下降时间 25 ns 25 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
封装 TO-247-3 TO-268-3 TO-220-3
长度 16.26 mm - -
宽度 5.3 mm - -
高度 21.46 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - -