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IXFV110N10P、IXTT110N10P、IXFH110N10P对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFV110N10P IXTT110N10P IXFH110N10P

描述 Trans MOSFET N-CH 100V 110A 3Pin(3+Tab) PLUS 220TO-268 N-CH 100V 110AIXYS SEMICONDUCTOR  IXFH110N10P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 110 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 5 V

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

封装 TO-220-3 TO-268-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

耗散功率 480W (Tc) 480W (Tc) 480 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

输入电容(Ciss) 3550pF @25V(Vds) 3550pF @25V(Vds) 3550pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 480W (Tc) 480W (Tc) 480W (Tc)

通道数 - - 1

针脚数 - - 3

漏源极电阻 - - 0.015 Ω

极性 - N-CH N-Channel

阈值电压 - - 5 V

漏源击穿电压 - - 100 V

连续漏极电流(Ids) - 110A 110 A

上升时间 - 25 ns 25 ns

额定功率(Max) - - 480 W

下降时间 - 25 ns 25 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

封装 TO-220-3 TO-268-3 TO-247-3

长度 - - 16.26 mm

宽度 - - 5.3 mm

高度 - - 21.46 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15