IXFQ22N60P3
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFQ22N60P3中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 360 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 500 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 2600pF @25VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 500W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
外形尺寸
长度 15.8 mm
宽度 4.9 mm
高度 20.3 mm
封装 TO-3-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFQ22N60P3引脚图与封装图
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在线购买IXFQ22N60P3
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
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替代型号IXFQ22N60P3
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXFQ22N60P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 600V 22A | 当前型号 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | 当前型号 |
| 型号： IXTQ22N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 600V 22A 3.6nF | 类似代替 | N沟道 600V 22A | IXFQ22N60P3和IXTQ22N60P的区别 |
| 型号： IXFH22N60P3 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 22A | 功能相似 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXFQ22N60P3和IXFH22N60P3的区别 |
| 型号： IXFH22N60P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247 N-Channel 600V 22A 350mΩ 3.6nF | 功能相似 | Single N-Channel 600V 400W 58NC Through Hole Power Mosfet - TO-247 | IXFQ22N60P3和IXFH22N60P的区别 |