IXFQ22N60P3、IXTQ22N60P、IXFH22N60P3对比区别
型号 IXFQ22N60P3 IXTQ22N60P IXFH22N60P3
描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道 600V 22AN 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管中高压MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-247-3
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 22.0 A -
通道数 1 1 1
漏源极电阻 360 mΩ 350 mΩ 0.39 Ω
耗散功率 500 W 400 W 500 W
输入电容 - 3.60 nF -
栅电荷 - 62.0 nC -
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 22A 22.0 A 22A
上升时间 17 ns 20 ns -
输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds)
下降时间 19 ns 23 ns -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 500W (Tc) 400W (Tc) 500W (Tc)
极性 N-CH - N-Channel
阈值电压 5 V - 5 V
针脚数 - - 3
长度 15.8 mm 15.8 mm 16.26 mm
宽度 4.9 mm 4.9 mm 5.3 mm
高度 20.3 mm 20.3 mm 21.46 mm
封装 TO-3-3 TO-3-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15