IXFH22N60P3、IXFQ22N60P3、IXFV22N60P对比区别

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型号 IXFH22N60P3 IXFQ22N60P3 IXFV22N60P

描述 N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3Pin(3+Tab) PLUS 220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 中高压MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-220-3

通道数 1 1 -

针脚数 3 - -

漏源极电阻 0.39 Ω 360 mΩ 350 mΩ

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 500 W 500 W 400W (Tc)

阈值电压 5 V 5 V 5.5 V

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 22A 22A 22.0 A

输入电容(Ciss) 2600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 500W (Tc) 500W (Tc) 400W (Tc)

额定电压(DC) - - 600 V

额定电流 - - 22.0 A

输入电容 - - 3.60 nF

栅电荷 - - 58.0 nC

漏源击穿电压 - 600 V 600 V

上升时间 - 17 ns -

下降时间 - 19 ns -

长度 16.26 mm 15.8 mm -

宽度 5.3 mm 4.9 mm -

高度 21.46 mm 20.3 mm -

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/06/15 - -