IXFH22N60P、IXFQ22N60P3、IXTQ22N60P对比区别

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型号 IXFH22N60P IXFQ22N60P3 IXTQ22N60P

描述 Single N-Channel 600V 400W 58NC Through Hole Power Mosfet - TO-247N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备N沟道 600V 22A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-3-3

额定电压(DC) 600 V - 600 V

额定电流 22.0 A - 22.0 A

通道数 - 1 1

漏源极电阻 350 mΩ 360 mΩ 350 mΩ

耗散功率 400W (Tc) 500 W 400 W

输入电容 3.60 nF - 3.60 nF

栅电荷 58.0 nC - 62.0 nC

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 22.0 A 22A 22.0 A

上升时间 20 ns 17 ns 20 ns

输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 2600pF @25V(Vds) 3600pF @25V(Vds)

下降时间 23 ns 19 ns 23 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃

耗散功率(Max) 400W (Tc) 500W (Tc) 400W (Tc)

极性 N-Channel N-CH -

额定功率(Max) 400 W - -

阈值电压 - 5 V -

长度 - 15.8 mm 15.8 mm

宽度 - 4.9 mm 4.9 mm

高度 - 20.3 mm 20.3 mm

封装 TO-247-3 TO-3-3 TO-3-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free