IXFN100N25
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IXYS Semiconductor
分立器件
IXFN100N25中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 27 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 600 W
漏源极电压Vds 250 V
漏源击穿电压 250 V
连续漏极电流Ids 100A
上升时间 55 ns
输入电容Ciss 9100pF @25VVds
下降时间 40 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 600W Tc
封装参数
安装方式 Chassis
封装 SOT-227-4
外形尺寸
长度 38.2 mm
宽度 25.07 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXFN100N25引脚图与封装图
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在线购买IXFN100N25
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXFN100N25 | IXYS Semiconductor | SOT-227B N-CH 250V 100A | 搜索库存 |
替代型号IXFN100N25
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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