IXFN100N25、IXTT100N25P、IXFX100N25对比区别

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型号 IXFN100N25 IXTT100N25P IXFX100N25

描述 SOT-227B N-CH 250V 100AIXTT 系列 单通道 N 沟道 250 V 27 mOhm 600 W 功率 Mosfet - TO-268PLUS N-CH 250V 100A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Chassis Surface Mount Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 SOT-227-4 TO-268-3 TO-247-3

极性 N-CH - N-CH

耗散功率 600 W 600 W 560W (Tc)

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

连续漏极电流(Ids) 100A - 100A

上升时间 55 ns 26 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 9100pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 9100pF @25V(Vds)

下降时间 40 ns 28 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 560W (Tc)

通道数 1 - -

漏源极电阻 27 mΩ - -

漏源击穿电压 250 V - -

封装 SOT-227-4 TO-268-3 TO-247-3

长度 38.2 mm - -

宽度 25.07 mm - -

高度 9.6 mm - -

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free