IXFN100N25、IXTQ100N25P、IXFX100N25对比区别

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型号 IXFN100N25 IXTQ100N25P IXFX100N25

描述 SOT-227B N-CH 250V 100AIXYS SEMICONDUCTOR  IXTQ100N25P  晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 250 V, 27 mohm, 10 V, 5 VPLUS N-CH 250V 100A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Chassis Through Hole Through Hole

封装 SOT-227-4 TO-3-3 TO-247-3

引脚数 - 3 3

通道数 1 - -

漏源极电阻 27 mΩ 0.027 Ω -

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 600 W 600 W 560W (Tc)

漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V

漏源击穿电压 250 V - -

连续漏极电流(Ids) 100A 100 A 100A

上升时间 55 ns 26 ns 55 ns

输入电容(Ciss) 9100pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds) 9100pF @25V(Vds)

下降时间 40 ns 28 ns 40 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 560W (Tc)

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 5 V -

输入电容 - 6300 pF -

额定功率(Max) - 600 W -

长度 38.2 mm - -

宽度 25.07 mm - -

高度 9.6 mm - -

封装 SOT-227-4 TO-3-3 TO-247-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - - Silicon

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 -