IXFH100N25P、IXFN100N25、IXTQ100N25P对比区别
型号 IXFH100N25P IXFN100N25 IXTQ100N25P
描述 N沟道 250V 100ASOT-227B N-CH 250V 100AIXYS SEMICONDUCTOR IXTQ100N25P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 100 A, 250 V, 27 mohm, 10 V, 5 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Chassis Through Hole
引脚数 3 - 3
封装 TO-247-3 SOT-227-4 TO-3-3
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - 27 mΩ 0.027 Ω
极性 - N-CH N-Channel
耗散功率 600W (Tc) 600 W 600 W
阈值电压 - - 5 V
输入电容 - - 6300 pF
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
连续漏极电流(Ids) - 100A 100 A
上升时间 26 ns 55 ns 26 ns
输入电容(Ciss) 6300pF @25V(Vds) 9100pF @25V(Vds) 6300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 600 W
下降时间 28 ns 40 ns 28 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ 55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 600W (Tc) 600W (Tc) 600W (Tc)
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 250 V -
封装 TO-247-3 SOT-227-4 TO-3-3
长度 - 38.2 mm -
宽度 - 25.07 mm -
高度 - 9.6 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/06/15