IXTT52N30P
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXTT52N30P中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 400 W
漏源极电压Vds 300 V
连续漏极电流Ids 52A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 3490pF @25VVds
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
外形尺寸
封装 TO-268-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXTT52N30P引脚图与封装图
暂无图片
在线购买IXTT52N30P
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXTT52N30P | IXYS Semiconductor | TO-268 N-CH 300V 52A | 搜索库存 |
替代型号IXTT52N30P
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： IXTT52N30P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-268-2 N-CH 300V 52A | 当前型号 | TO-268 N-CH 300V 52A | 当前型号 |
| 型号： IXTQ52N30P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-3P-3 N-CH 300V 52A | 完全替代 | N沟道 300V 52A | IXTT52N30P和IXTQ52N30P的区别 |
| 型号： IXFH52N30P 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247AD | 完全替代 | N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备 | IXTT52N30P和IXFH52N30P的区别 |
| 型号： IXTH50N30 品牌： IXYS Semiconductor 封装： TO-247-3 | 功能相似 | Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3Pin3+Tab TO-247 | IXTT52N30P和IXTH50N30的区别 |