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IXFH52N30P、IXTT52N30P、IXFV52N30PS对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH52N30P IXTT52N30P IXFV52N30PS

描述 N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 (HiPerFET™)### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备TO-268 N-CH 300V 52ATrans MOSFET N-CH 300V 52A 3Pin(2+Tab) PLUS220 SMD

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

封装 TO-247-3 TO-268-3 PLUS-220SMD

引脚数 3 3 -

耗散功率 400 W 400 W 400W (Tc)

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 300 V

输入电容(Ciss) 3490pF @25V(Vds) 3490pF @25V(Vds) 3490pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) 400W (Tc)

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

极性 - N-CH -

连续漏极电流(Ids) - 52A -

上升时间 - 22 ns -

下降时间 - 20 ns -

封装 TO-247-3 TO-268-3 PLUS-220SMD

长度 16.26 mm - -

宽度 5.3 mm - -

高度 21.46 mm - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free