IXTQ52N30P、IXTT52N30P、IXTA50N28T对比区别

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型号 IXTQ52N30P IXTT52N30P IXTA50N28T

描述 N沟道 300V 52ATO-268 N-CH 300V 52AN-CH 280V 50A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-3-3 TO-268-3 D2PAK

通道数 1 - -

漏源极电阻 66 mΩ - -

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 400 W 400 W -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 280 V

漏源击穿电压 300 V - -

连续漏极电流(Ids) 52A 52A 50A

上升时间 22 ns 22 ns -

输入电容(Ciss) 3490pF @25V(Vds) 3490pF @25V(Vds) -

额定功率(Max) 400 W - -

下降时间 20 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) -

长度 15.8 mm - -

宽度 4.9 mm - -

高度 20.3 mm - -

封装 TO-3-3 TO-268-3 D2PAK

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -