IXTH50N30、IXTT52N30P、IXTA50N28T对比区别

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型号 IXTH50N30 IXTT52N30P IXTA50N28T

描述 Trans MOSFET N-CH 300V 50A 3Pin(3+Tab) TO-247TO-268 N-CH 300V 52AN-CH 280V 50A

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor

分类 MOS管MOS管

安装方式 Through Hole Surface Mount -

引脚数 3 3 -

封装 TO-247-3 TO-268-3 D2PAK

通道数 1 - -

漏源极电阻 65 mΩ - -

耗散功率 400 W 400 W -

漏源极电压(Vds) 300 V 300 V 280 V

漏源击穿电压 300 V - -

上升时间 33 ns 22 ns -

输入电容(Ciss) 4400pF @25V(Vds) 3490pF @25V(Vds) -

下降时间 17 ns 20 ns -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 400W (Tc) 400W (Tc) -

极性 - N-CH N-CH

连续漏极电流(Ids) - 52A 50A

封装 TO-247-3 TO-268-3 D2PAK

材质 Silicon - -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tube -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -