额定功率 375 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0186 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 375 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 72A
上升时间 18 ns
输入电容Ciss 5380pF @50VVds
额定功率Max 375 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 375W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 10.67 mm
宽度 6.22 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理, Battery Operated Drive, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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IRFS4127PBF | Infineon 英飞凌 | INFINEON IRFS4127PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 V | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: IRFS4127PBF 品牌: Infineon 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 72A | 当前型号 | INFINEON IRFS4127PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 V | 当前型号 | |
型号: IRFS4127TRLPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 72A | 完全替代 | 200V,22mΩ,72A,N沟道功率MOSFET | IRFS4127PBF和IRFS4127TRLPBF的区别 | |
型号: IRFS38N20DPBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 44A 2.9nF | 类似代替 | INFINEON IRFS38N20DPBF 场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 44A, D2-PAK | IRFS4127PBF和IRFS38N20DPBF的区别 | |
型号: IRFS4227PBF 品牌: 英飞凌 封装: REEL N-Channel 200V 62A | 功能相似 | INFINEON IRFS4227PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 26 mohm, 10 V, 5 V | IRFS4127PBF和IRFS4227PBF的区别 |