IRFS4127PBF、IRFS4227PBF、IRF640SPBF对比区别

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型号 IRFS4127PBF IRFS4227PBF IRF640SPBF

描述 INFINEON  IRFS4127PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 VINFINEON  IRFS4227PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 62 A, 200 V, 26 mohm, 10 V, 5 VN 通道 MOSFET，200V 至 250V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

额定功率 375 W 330 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0186 Ω 0.026 Ω 0.18 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 330 W 130 W

阈值电压 5 V 5 V 4 V

输入电容 - 4600 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 72A 62A 18.0 A

上升时间 18 ns 20 ns 51 ns

输入电容(Ciss) 5380pF @50V(Vds) 4600pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 375 W 330 W -

下降时间 22 ns 31 ns 36 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 180 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -40 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 330W (Tc) 130 W

通道数 1 - -

漏源击穿电压 200 V - -

长度 10.67 mm 10.67 mm 10.67 mm

宽度 6.22 mm 9.65 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -40℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99