IRFS38N20DPBF、IRFS4127PBF、IRFS38N20DTRRP对比区别

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型号 IRFS38N20DPBF IRFS4127PBF IRFS38N20DTRRP

描述 INFINEON  IRFS38N20DPBF  场效应管, MOSFET, N沟道, 200V, 44A, D2-PAKINFINEON  IRFS4127PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 VD2PAK N-CH 200V 38A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

通道数 1 1 1

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 320 W 375 W 3.8 W

阈值电压 5 V 5 V 5 V

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 44.0 A 72A 38A

上升时间 95 ns 18 ns 95 ns

输入电容(Ciss) 2900pF @25V(Vds) 5380pF @50V(Vds) 2900pF @25V(Vds)

下降时间 47 ns 22 ns 47 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 300W (Tc) 375W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc)

额定电压(DC) 200 V - -

额定电流 38.0 A - -

额定功率 320 W 375 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.054 Ω 0.0186 Ω -

产品系列 IRFS38N20D - -

输入电容 2.90 nF - -

漏源击穿电压 200 V 200 V -

额定功率(Max) 3.8 W 375 W -

长度 10.67 mm 10.67 mm 6.5 mm

宽度 6.22 mm 6.22 mm 9.65 mm

高度 4.83 mm 4.83 mm 2.3 mm

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free 无铅

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 -