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IRFS4127PBF、IRFS4127TRLPBF、IRF640SPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFS4127PBF IRFS4127TRLPBF IRF640SPBF

描述 INFINEON  IRFS4127PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 200 V, 0.0186 ohm, 20 V, 5 V200V,22mΩ,72A,N沟道功率MOSFETN 通道 MOSFET,200V 至 250V,Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管,Vishay Semiconductor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

额定功率 375 W 375 W -

针脚数 3 3 3

漏源极电阻 0.0186 Ω 0.0186 Ω 0.18 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 375 W 375 W 130 W

产品系列 - IRFS4127 -

阈值电压 5 V 5 V 4 V

输入电容 - 5380 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 72A 72A 18.0 A

上升时间 18 ns 18 ns 51 ns

输入电容(Ciss) 5380pF @50V(Vds) 5380pF @50V(Vds) 1300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 375 W 375 W -

下降时间 22 ns 22 ns 36 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 150 ℃

耗散功率(Max) 375W (Tc) 375W (Tc) 130 W

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

通道数 1 - -

漏源击穿电压 200 V - -

封装 TO-252-3 TO-263-3 TO-252-3

长度 10.67 mm - 10.67 mm

宽度 6.22 mm - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.83 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active -

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 - EAR99 EAR99