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IRFR3410TRPBF

IRFR3410TRPBF

数据手册.pdf
Infineon(英飞凌) 分立器件

INFINEON  IRFR3410TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET 100V,

Infineon 系列分立 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRFR3410TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 110 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.034 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

输入电容 1690 pF

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 31A

上升时间 27 ns

输入电容Ciss 1690pF @25VVds

额定功率Max 3 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3W Ta, 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

IRFR3410TRPBF引脚图与封装图
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在线购买IRFR3410TRPBF
型号 制造商 描述 购买
IRFR3410TRPBF Infineon 英飞凌 INFINEON  IRFR3410TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V 搜索库存
替代型号IRFR3410TRPBF
图片 型号/品牌/封装 代替类型 描述 替代型号对比

型号: IRFR3410TRPBF

品牌: Infineon 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 31A

当前型号

INFINEON  IRFR3410TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 V

当前型号

型号: IRFR3410PBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 31A

类似代替

INFINEON  IRFR3410PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 39 mohm, 10 V, 4 V

IRFR3410TRPBF和IRFR3410PBF的区别

型号: IRFR3410TRLPBF

品牌: 英飞凌

封装: REEL N-Channel 100V 31A

类似代替

晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 2 V

IRFR3410TRPBF和IRFR3410TRLPBF的区别

型号: IRFR3410TRRPBF

品牌: 英飞凌

封装: DPAK N-CH 100V 31A

类似代替

DPAK N-CH 100V 31A

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