IRFR3410TRPBF、IRFR3410TRRPBF、STD15NF10T4对比区别

高亮显示差异参数

型号 IRFR3410TRPBF IRFR3410TRRPBF STD15NF10T4

描述 INFINEON  IRFR3410TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 VDPAK N-CH 100V 31ASTMICROELECTRONICS  STD15NF10T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 23 A, 100 V, 65 mohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 3 - 3

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 110 W 3W (Ta), 110W (Tc) 70 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 31A 31A 23.0 A

输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3W (Ta), 110W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) 70W (Tc)

额定功率 110 W - -

针脚数 3 - 3

漏源极电阻 0.034 Ω - 0.065 Ω

阈值电压 4 V - 3 V

输入电容 1690 pF - -

上升时间 27 ns - 45 ns

额定功率(Max) 3 W - 70 W

下降时间 13 ns - 17 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

额定电压(DC) - - 100 V

额定电流 - - 23.0 A

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 100 V

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.73 mm - 6.6 mm

宽度 6.22 mm - 6.2 mm

高度 2.39 mm - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/12/17

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99