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IRFR3410TRLPBF、IRFR3410TRPBF、IRFR3410TRRPBF对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3410TRLPBF IRFR3410TRPBF IRFR3410TRRPBF

描述 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 2 VINFINEON  IRFR3410TRPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 100 V, 0.034 ohm, 10 V, 4 VDPAK N-CH 100V 31A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - 3 -

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 110 W 110 W 3W (Ta), 110W (Tc)

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 31A 31A 31A

输入电容(Ciss) 1690pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds) 1690pF @25V(Vds)

耗散功率(Max) 3W (Ta), 110W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc) 3W (Ta), 110W (Tc)

通道数 1 - -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 34 mΩ 0.034 Ω -

阈值电压 4 V 4 V -

漏源击穿电压 100 V - -

上升时间 27 ns 27 ns -

额定功率(Max) 3 W 3 W -

下降时间 13 ns 13 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -

额定功率 - 110 W -

输入电容 - 1690 pF -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm 6.73 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.3 mm 2.39 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 -