AUIRL3705ZS、IRL3705ZS、AUIRL3705ZSTRL对比区别

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型号 AUIRL3705ZS IRL3705ZS AUIRL3705ZSTRL

描述 N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。D2PAK N-CH 55V 86AP沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 - 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

额定功率 130 W - -

通道数 1 - 1

极性 N-CH N-CH N-CH

耗散功率 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 86A 86A 86A

上升时间 240 ns - 240 ns

输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds)

下降时间 83 ns - 83 ns

工作温度(Max) 175 ℃ - 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc)

长度 10.67 mm - 10 mm

宽度 9.65 mm - 9.65 mm

高度 4.83 mm - 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 Silicon - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Contains Lead Lead Free