IRL3705ZS、IRL3705ZSTRLPBF、AUIRL3705ZSTRL对比区别

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型号 IRL3705ZS IRL3705ZSTRLPBF AUIRL3705ZSTRL

描述 D2PAK N-CH 55V 86AHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

通道数 - 1 1

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 130W (Tc) 130 W 130W (Tc)

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 86A 86A 86A

上升时间 - 240 ns 240 ns

输入电容(Ciss) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds) 2880pF @25V(Vds)

下降时间 - 83 ns 83 ns

工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 130W (Tc) 130W (Tc) 130W (Tc)

额定功率 - 130 W -

针脚数 - 3 -

漏源极电阻 - 8 mΩ -

阈值电压 - 3 V -

输入电容 - 2880 pF -

漏源击穿电压 - 55 V -

额定功率(Max) - 130 W -

长度 - 10.67 mm 10 mm

宽度 - 11.3 mm 9.65 mm

高度 - 4.83 mm 4.4 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

材质 - - Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 - Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free