IS42S16100F-7BLI

Integrated Silicon SolutionISSI 电子元器件分类

16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143MHz, 60 ball BGA 6.4mmx10.1mm RoHS, IT

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 143MHz 5.5ns 60-TFBGA 6.4x10.1

得捷:
IC DRAM 16MBIT PARALLEL 60TFBGA

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA

安富利:
DRAM Chip SDRAM 16M-Bit 1Mx16 3.3V 60-Pin Mini-BGA

Verical:
DRAM Chip SDRAM 16Mbit 1Mx16 3.3V 60-Pin TFBGA

IS42S16100F-7BLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 100 mA

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准无铅

IS42S16100F-7BLI引脚图与封装图

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型号	制造商	描述	购买
IS42S16100F-7BLI	Integrated Silicon SolutionISSI	16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143MHz, 60 ball BGA 6.4mmx10.1mm RoHS, IT	搜索库存

替代型号IS42S16100F-7BLI

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： IS42S16100F-7BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	当前型号	16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143MHz, 60 ball BGA 6.4mmx10.1mm RoHS, IT	当前型号
型号： IS42S16100F-7BL 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	完全替代	动态随机存取存储器 16M 1Mx16 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V	IS42S16100F-7BLI和IS42S16100F-7BL的区别
型号： IS42S16100E-7BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： Mini-BGA	功能相似	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.4MM, 0.65MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60	IS42S16100F-7BLI和IS42S16100E-7BLI的区别
型号： IS42VM16100G-6BLI 品牌： Integrated Silicon SolutionISSI 封装： BGA	功能相似	Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 6.40 X 10.1MM, LEAD FREE, TFBGA-60	IS42S16100F-7BLI和IS42VM16100G-6BLI的区别