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IS42S16100F-7BLI、IS42VM16100G-6BLI、IS42S16100F-7BL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16100F-7BLI IS42VM16100G-6BLI IS42S16100F-7BL

描述 16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143MHz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS, ITSynchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 6.40 X 10.1MM, LEAD FREE, TFBGA-60动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片RAM芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60 60

封装 TFBGA-60 BGA BGA-60

供电电流 100 mA 55 mA 100 mA

位数 - 16 -

存取时间(Max) - 8ns, 5.5ns -

工作温度(Max) - 85 ℃ 70 ℃

工作温度(Min) - -40 ℃ 0 ℃

存取时间 - - 5.5 ns

电源电压 3V ~ 3.6V - 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

封装 TFBGA-60 BGA BGA-60

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Lead Free 无铅

ECCN代码 - EAR99 -