锐单电子商城 , 一站式电子元器件采购平台!
  • 电话:400-990-0325

IS42S16100F-7BL、IS42S16100F-7BLI、IS42S16100E-7BL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16100F-7BL IS42S16100F-7BLI IS42S16100E-7BL

描述 动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V16M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143MHz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS, ITSynchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.4MM, 0.65MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-60

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 存储芯片存储芯片RAM芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60 60

封装 BGA-60 TFBGA-60 TFBGA-60

供电电流 100 mA 100 mA 130 mA

存取时间 5.5 ns - -

工作温度(Max) 70 ℃ - -

工作温度(Min) 0 ℃ - -

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

电源电压(Max) 3.6 V - -

电源电压(Min) 3 V - -

封装 BGA-60 TFBGA-60 TFBGA-60

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅