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IS42S16100E-7BLI、IS42S16100F-7BLI、IS42S16100F-7BL对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IS42S16100E-7BLI IS42S16100F-7BLI IS42S16100F-7BL

描述 Synchronous DRAM, 1MX16, 5.5ns, CMOS, PBGA60, 10.10 X 6.4MM, 0.65MM PITCH, LEAD FREE, TFBGA-6016M, 3.3V, SDRAM, 1Mx16, 143MHz, 60 ball BGA (6.4mmx10.1mm) RoHS, IT动态随机存取存储器 16M (1Mx16) 143MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

数据手册 ---

制造商 Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI) Integrated Silicon Solution(ISSI)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 60 60 60

封装 BGA-60 TFBGA-60 BGA-60

供电电流 150 mA 100 mA 100 mA

电源电压 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V 3V ~ 3.6V

存取时间 - - 5.5 ns

工作温度(Max) 85 ℃ - 70 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ - 0 ℃

电源电压(Max) - - 3.6 V

电源电压(Min) - - 3 V

位数 16 - -

存取时间(Max) 6ns, 5.5ns - -

封装 BGA-60 TFBGA-60 BGA-60

高度 0.85 mm - -

工作温度 -40℃ ~ 85℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tray Tray Tray

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 无铅 无铅