IPD50N06S409ATMA1、IPD50N06S409ATMA2对比区别

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型号 IPD50N06S409ATMA1 IPD50N06S409ATMA2

描述 DPAK N-CH 60V 50A晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0071 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 --

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3

封装 TO-252-3 TO-252-3

针脚数 - 3

漏源极电阻 - 0.0071 Ω

极性 N-CH N-CH

耗散功率 71 W 71 W

阈值电压 - 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 50A 50A

上升时间 40 ns 40 ns

输入电容(Ciss) 3785pF @25V(Vds) 2911pF @25V(Vds)

下降时间 5 ns 5 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 71W (Tc) 71000 mW

封装 TO-252-3 TO-252-3

长度 6.5 mm -

宽度 6.22 mm -

高度 2.41 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅