IXGH32N60BU1
数据手册.pdf
IXYS Semiconductor
分立器件
IXGH32N60BU1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 600 V
额定电流 60.0 A
耗散功率 200000 mW
上升时间 20.0 ns
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 50 ns
额定功率Max 200 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
IXGH32N60BU1引脚图与封装图
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在线购买IXGH32N60BU1
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| IXGH32N60BU1 | IXYS Semiconductor | IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 Rds | 搜索库存 |
替代型号IXGH32N60BU1
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
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