IXGH32N60BU1、STGW30NC60KD、STGP8NC60KD对比区别

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型号 IXGH32N60BU1 STGW30NC60KD STGP8NC60KD

描述 IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 RdsSTGW30NC60KD 系列 600 V 28 A 短路 耐用型 IGBT 法兰安装 - TO-247-3STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

额定电压(DC) 600 V - -

额定电流 60.0 A - -

耗散功率 200000 mW 200 W 65 W

上升时间 20.0 ns - -

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 50 ns 40 ns 23.5 ns

额定功率(Max) 200 W 200 W 65 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200 W 65000 mW

针脚数 - 3 3

长度 16.26 mm 15.75 mm -

宽度 5.3 mm 5.15 mm -

高度 21.46 mm 24.45 mm -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99