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IXGH32N60BU1、STGW30NC60WD、STGP8NC60KD对比区别

P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXGH32N60BU1 STGW30NC60WD STGP8NC60KD

描述 IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 RdsSTMICROELECTRONICS  STGW30NC60WD  单晶体管, IGBT, 60 A, 2.5 V, 200 W, 600 V, TO-247, 3 引脚STGP8NC60K 系列 N 沟道 600V 8 A 额定短路电流 PowerMESH IGBT - TO-220

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

针脚数 - 3 3

耗散功率 200000 mW 200 W 65 W

击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V

反向恢复时间 50 ns 40 ns 23.5 ns

额定功率(Max) 200 W 200 W 65 W

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 200000 mW 200 W 65000 mW

额定电压(DC) 600 V 600 V -

额定电流 60.0 A 60.0 A -

额定功率 - 200 W -

极性 - N-Channel -

输入电容 - 2080 pF -

上升时间 20.0 ns 12.0 ns -

热阻 - 50 ℃/W -

封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-220-3

长度 16.26 mm 15.75 mm -

宽度 5.3 mm 5.15 mm -

高度 21.46 mm 20.15 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Bulk Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - EAR99 EAR99