额定电压DC 20.0 V
额定电流 8.00 A
通道数 2
漏源极电阻 17 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2 W
输入电容 1.68 nF
栅电荷 17.0 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 20 V
栅源击穿电压 ±8.00 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 1676pF @10VVds
额定功率Max 900 mW
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
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FDS6894A | Fairchild 飞兆/仙童 | 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET | 搜索库存 |
图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
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型号: FDS6894A 品牌: Fairchild 飞兆/仙童 封装: SOIC N-Channel 20V 8A 17mohms 1.68nF | 当前型号 | 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET | 当前型号 | |
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型号: SI9926CDY-T1-GE3 品牌: 威世 封装: 8-SOIC N-Channel 20V 8A 18mΩ | 功能相似 | 双N通道20 -V (D -S )的MOSFET Dual N-Channel 20-V D-S MOSFET | FDS6894A和SI9926CDY-T1-GE3的区别 | |
型号: FDS6894A_NL 品牌: 飞兆/仙童 封装: | 功能相似 | Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET | FDS6894A和FDS6894A_NL的区别 |