FDS6894A、SI9926CDY-T1-GE3、FDS6911对比区别

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型号 FDS6894A SI9926CDY-T1-GE3 FDS6911

描述 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFETFDS6911 系列 20 V 13 mOhm 双 N沟道 逻辑电平 PowerTrench® MOSFET-SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 8.00 A - 7.50 A

通道数 2 - 2

漏源极电阻 17 mΩ 0.015 Ω 0.013 Ω

极性 N-Channel N-Channel, Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 2 W 2 W 1.6 W

阈值电压 - 1.5 V 1.8 V

输入电容 1.68 nF - 1.13 nF

栅电荷 17.0 nC - 24.0 nC

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V - 20 V

栅源击穿电压 ±8.00 V - ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8.00 A 7.50 A

上升时间 14 ns - 5 ns

输入电容(Ciss) 1676pF @10V(Vds) 1200pF @10V(Vds) 1130pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW 2 W 900 mW

下降时间 12 ns - 7 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2000 mW 1600 mW

针脚数 - 8 -

长度 4.9 mm - 4.9 mm

宽度 3.9 mm - 3.9 mm

高度 1.75 mm - 1.5 mm

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

最小包装 - 2500 -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/06/15

ECCN代码 EAR99 - EAR99