FDS6894A、FDS6894A_NL、SI9926CDY-T1-GE3对比区别

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型号 FDS6894A FDS6894A_NL SI9926CDY-T1-GE3

描述 双N沟道逻辑电平PWM优化的PowerTrench MOSFET Dual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFETDual N-Channel Logic Level PWM Optimized PowerTrench MOSFET双N通道20 -V （D -S ）的MOSFET Dual N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) VISHAY (威世)

分类 MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

额定电压(DC) 20.0 V - -

额定电流 8.00 A - -

通道数 2 - -

漏源极电阻 17 mΩ - 0.015 Ω

极性 N-Channel N-CH N-Channel, Dual N-Channel

耗散功率 2 W - 2 W

输入电容 1.68 nF - -

栅电荷 17.0 nC - -

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

漏源击穿电压 20 V - -

栅源击穿电压 ±8.00 V - -

连续漏极电流(Ids) 8.00 A 8A 8.00 A

上升时间 14 ns - -

输入电容(Ciss) 1676pF @10V(Vds) - 1200pF @10V(Vds)

额定功率(Max) 900 mW - 2 W

下降时间 12 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃

针脚数 - - 8

阈值电压 - - 1.5 V

耗散功率(Max) - - 2000 mW

长度 4.9 mm - -

宽度 3.9 mm - -

高度 1.75 mm - -

封装 SOIC-8 SOIC SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tape & Reel (TR)

最小包装 - - 2500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

ECCN代码 EAR99 EAR99 -