FDS3682
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Fairchild
飞兆/仙童
分立器件
FDS3682中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 100 V
额定电流 6.00 A
通道数 1
漏源极电阻 35 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
输入电容 1.30 nF
栅电荷 19.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 1300pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 37 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
FDS3682引脚图与封装图
暂无图片
在线购买FDS3682
| 型号 | 制造商 | 描述 | 购买 |
|---|---|---|---|
| FDS3682 | Fairchild 飞兆/仙童 | N沟道PowerTrench MOSFET的100V ， 6A ， 35mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 6A, 35mз | 搜索库存 |
替代型号FDS3682
| 图片 | 型号/品牌/封装 | 代替类型 | 描述 | 替代型号对比 |
|---|---|---|---|---|
| 型号： FDS3682 品牌： Fairchild 飞兆/仙童 封装： SOIC N-Channel 100V 6A 35mohms 1.3nF | 当前型号 | N沟道PowerTrench MOSFET的100V ， 6A ， 35mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 6A, 35mз | 当前型号 |
| 型号： HUF75631SK8 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 100V 5.5A 39mΩ | 类似代替 | 5.5A ， 100V ， 0.039 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFET | FDS3682和HUF75631SK8的区别 |
| 型号： HUF75631SK8T 品牌： 飞兆/仙童 封装： SO N-Channel 100V 5.5A 40mohms | 类似代替 | N沟道 100V 5.5A | FDS3682和HUF75631SK8T的区别 |
| 型号： IRF7452TRPBF 品牌： 英飞凌 封装： REEL N-Channel 100V 4.5A | 功能相似 | INFINEON IRF7452TRPBF 场效应管, MOSFET | FDS3682和IRF7452TRPBF的区别 |