FDS3682、HUF75631SK8T、STS4NF100对比区别
型号 FDS3682 HUF75631SK8T STS4NF100
描述 N沟道PowerTrench MOSFET的100V , 6A , 35mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 6A, 35mзN沟道 100V 5.5AN沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 100 V 100 V 100 V
额定电流 6.00 A 5.50 A 4.00 A
漏源极电阻 35 mΩ 40.0 mΩ 65.0 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5 W 2.5W (Ta) 2.5 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V
连续漏极电流(Ids) 6.00 A 5.50 A 4.00 A
上升时间 35 ns - 45 ns
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1225pF @25V(Vds) 870pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
下降时间 37 ns - 17 ns
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ - -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
通道数 1 - -
输入电容 1.30 nF - -
栅电荷 19.0 nC - -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 4.9 mm - -
宽度 3.9 mm - -
高度 1.75 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99