FDS3682、HUF75631SK8、STS4NF100对比区别

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型号 FDS3682 HUF75631SK8 STS4NF100

描述 N沟道PowerTrench MOSFET的100V ， 6A ， 35mз N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 6A, 35mз5.5A ， 100V ， 0.039 Ohm的N通道， UltraFET功率MOSFET 5.5A, 100V, 0.039 Ohm, N-Channel, UltraFET Power MOSFETN沟道100V - 0.065欧姆 - 4A SO- 8 STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 100V - 0.065 ohm - 4A SO-8 STripFET⑩ II POWER MOSFET

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount - Surface Mount

引脚数 8 - 8

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

额定电压(DC) 100 V - 100 V

额定电流 6.00 A - 4.00 A

漏源极电阻 35 mΩ 39.0 mΩ 65.0 mΩ

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5 W 2.5 W 2.5 W

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

漏源击穿电压 100 V 100 V 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V ±20.0 V

连续漏极电流(Ids) 6.00 A 5.50 A 4.00 A

上升时间 35 ns 23 ns 45 ns

输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) - 870pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W - 2.5 W

下降时间 37 ns 31 ns 17 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 2.5W (Ta) - 2.5W (Ta)

通道数 1 - -

输入电容 1.30 nF - -

栅电荷 19.0 nC - -

封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8

长度 4.9 mm 4.9 mm -

宽度 3.9 mm 3.9 mm -

高度 1.75 mm 1.75 mm -

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

ECCN代码 EAR99 - EAR99