FQD1N60TM

Fairchild 飞兆/仙童分立器件

N沟道 600V 1A

N-Channel 600 V 1A Tc 2.5W Ta, 30W Tc Surface Mount TO-252AA

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N沟道 600V 1A

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MOSFET N-CH 600V 1A DPAK

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Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

FQD1N60TM中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 1.00 A

漏源极电阻 11.5 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5W Ta, 30W Tc

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 1.00 A

输入电容Ciss 150pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

耗散功率Max 2.5W Ta, 30W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

FQD1N60TM引脚图与封装图

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替代型号FQD1N60TM

型号/品牌/封装	代替类型	描述	替代型号对比
型号： FQD1N60TM 品牌： Fairchild 飞兆/仙童封装： TO-252 N-Channel 600V 1A 11.5ohms	当前型号	N沟道 600V 1A	当前型号
型号： FQD1N60TF 品牌：飞兆/仙童封装： TO-252 N-Channel 600V 1A 11.5ohms	完全替代	N沟道 600V 1A	FQD1N60TM和FQD1N60TF的区别
型号： SSR1N60BTM 品牌：飞兆/仙童封装： TO-252 N-Channel 600V 900mA 12ohms	类似代替	N沟道 600V 900mA	FQD1N60TM和SSR1N60BTM的区别
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