FQD1N60TF、FQD1N60TM、STD1NK60T4对比区别

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型号 FQD1N60TF FQD1N60TM STD1NK60T4

描述 N沟道 600V 1AN沟道 600V 1ASTMICROELECTRONICS  STD1NK60T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

引脚数 - - 3

额定电压(DC) 600 V 600 V 600 V

额定电流 1.00 A 1.00 A 1.00 A

漏源极电阻 11.5 Ω 11.5 Ω 8 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 30 W

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V

连续漏极电流(Ids) 1.00 A 1.00 A 1.00 A

输入电容(Ciss) 150pF @25V(Vds) 150pF @25V(Vds) 156pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 30 W

耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 30W (Tc)

针脚数 - - 3

阈值电压 - - 3 V

上升时间 - - 5 ns

下降时间 - - 25 ns

工作温度(Max) - - 150 ℃

工作温度(Min) - - -55 ℃

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

长度 - - 6.6 mm

宽度 - - 6.2 mm

高度 - - 2.4 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tape Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 - EAR99