FQD1N60TM、SSR1N60BTM、STD1NK60T4对比区别
型号 FQD1N60TM SSR1N60BTM STD1NK60T4
描述 N沟道 600V 1AN沟道 600V 900mASTMICROELECTRONICS STD1NK60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 600 V, 8 ohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
引脚数 - - 3
漏源极电阻 11.5 Ω 12.0 Ω 8 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5 W 30 W
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 600 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 1.00 A 900 mA 1.00 A
上升时间 - 45 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 150pF @25V(Vds) 215pF @25V(Vds) 156pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 30 W
下降时间 - 35 ns 25 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 30W (Tc) 2.5W (Ta), 28W (Tc) 30W (Tc)
额定电压(DC) 600 V - 600 V
额定电流 1.00 A - 1.00 A
针脚数 - - 3
阈值电压 - - 3 V
长度 - 6.73 mm 6.6 mm
宽度 - 6.22 mm 6.2 mm
高度 - 2.39 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - EAR99 EAR99